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MOS管動態參數


MOS管動態參數


IGSS :柵源驅動電流或反向電流.由于 MOSFET 輸入阻抗很大,IGSS 通常在納安級.

IDSS :飽滿漏源電流,柵極電壓 VGS=0 、

VDS 為必定值時的漏源電流.通常在微安級.

VGS(th) :敞開電壓(閥值電壓).當外加柵極操控電壓 VGS超越VGS(th)

時,漏區和源區的外表反型層形成了銜接的溝道.應用中,常將漏極短接前提下 ID即是毫安時的柵極電壓稱為敞開電壓.此參數通常會隨結溫度的上升而有所下降.

RDS(on) :在特定的 VGS (通常為 10V)、結溫及漏極電流的前提下, MOSFET 導通時漏源間的最大阻抗.它是一個非常重要的參數,決定了MOSFET導通時的消耗功率.此參數通常會隨結溫度的上升而有所增大(正溫度特性). 故應以此參數在最高作業結溫前提下的值作為損耗及壓降計算.

△V(BR)DSS/ △

Tj :漏源擊穿電壓的溫度系數,通常為0.1V/ ℃.

V(BR)DSS :漏源擊穿電壓.是指柵源電壓 VGS 為 0

時,場效應管正常作業所能接受的最大漏源電壓.這是一項極限參數,加在場效應管上的作業電壓必需小于V(BR)DSS .它具有正溫度特性.故應以此參數在低溫前提下的值作為安全考慮. 加負壓非常好。

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